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    一種發光二極體光源裝置，包括基座、第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片、及螢光粉層，該螢光粉層設置在遮擋第一發光二極體晶片及第二發光二極體晶片的出光方向上，該第一發光二極體晶片為紫外光發光二極體晶片，該螢光粉層內分佈有複數螢光粉顆粒，各螢光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當第二發光二極體晶片導通而第一發光二極體晶片非導通時，第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生一種色溫；當第一發光二極體晶片與第一發光二極體晶片同時發光時，所述鹵化銀被第一發光二極體照射分解出銀原子而擋設於螢光粉顆粒周圍，該第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生另一種色溫。
    公开号:TW201306229A
    申请号:TW100126627
    申请日:2011-07-27
    公开日:2013-02-01
    发明作者:Hou-Te Lin；Chao-Hsiung Chang
    申请人:Advanced Optoelectronic Tech；
    IPC主号:H01L25-00
    专利说明:
    發光二極體光源裝置
    本發明涉及一種照明裝置，特別涉及一種發光二極體光源裝置。
    發光二極體作為一種節能、環保、長壽命的固體光源，因此近十幾年來對發光二極體技術的研究一直非常活躍，發光二極體亦有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源的趨勢。在習知技術中，發光二極體光源裝置一般係將發光二極體晶片設置在電路板上，然後利用摻雜螢光粉的封裝膠體封裝該發光二極體，所述發光二極體晶片發出的光激發螢光粉射出到光源外部。但是，由於上述發光二極體僅能發出同一色溫的光線，導致安裝該等發光二極體的燈具的照明效果非常單一化，不能夠滿足實際需要。
    有鑒於此，有必要提供一種可改變色溫的發光二極體光源裝置。
    一種發光二極體光源裝置，其包括基座、設於基座上的第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片、及一螢光粉層，該螢光粉層設置在遮擋所述第一發光二極體晶片及第二發光二極體晶片的出光方向上，該第一發光二極體晶片為紫外光發光二極體晶片，該螢光粉層內分佈有複數螢光粉顆粒，各螢光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當第二發光二極體晶片導通而第一發光二極體晶片非導通時，第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生一種色溫；當第一發光二極體晶片與第一發光二極體晶片同時發光時，各螢光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極體照射分解出銀原子而擋設於螢光粉顆粒周圍，該第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生另一種色溫。
    與習知技術相比，該發光二極體光源裝置可通過導通第一發光二極體晶片，而使各螢光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極體照射分解出銀原子而擋設於螢光粉顆粒周圍，從而改變發光二極體光源裝置的整體色溫，進而達成該發光二極體光源裝置的不同色溫的需求。
    如圖1所示，該發光二極體光源裝置100包括一基座10、設置在該基座10內的一第一發光二極體晶片20、一第二發光二極體晶片30及一螢光粉層50。
    該基座10包括一頂面11及與該頂面11相對的一底面13，該基座10從頂面11向底面13方向凹進形成一容置槽15。該容置槽15用於提供第一發光二極體晶片20、第二發光二極體晶片30及螢光粉層50的容置空間並設定發光二極體光源裝置100的光場。所述容置槽15內表面的側面為傾斜面150，該傾斜面150自頂面11向底面13方向延伸並沿容置槽15的徑向向內傾斜，使整個容置槽15呈一上寬下窄的形狀。優選地，容置槽15的內表面還塗敷有反光材料。
    該基座10內還設置有相互間隔的第一電極12、第二電極14及第三電極16，所述第一電極12、第二電極14及第三電極16並排設於容置槽15的底端，且第一電極12及第三電極16分別位於第二電極14的兩側。該第一電極12及第三電極16的一端分別延伸至容置槽15的底端，另一端分別延伸至基座10的外側，用於與外部電路連接，該第二電極14貫穿容置槽15的底端，用於與外部電路連接。
    所述第一發光二極體晶片20及第二發光二極體晶片30設於基座10上，並收容於該容置槽15內。該第一發光二極體晶片20設於第一電極12上，其為紫外光的發光二極體晶片。該第一發光二極體晶片20的兩端通過導線分別與基座10內的第一電極12及第三電極16連接。該第二發光二極體晶片30與第一發光二極體晶片20可各自控制。本實施例中，該第二發光二極體晶片30設於第二電極14上，其兩端通過導線60分別與基座10內的第二電極14及第三電極16連接。具體實施時，該第二發光二極體晶片30亦可設於第三電極16上，所述第一發光二極體晶片20及第二發光二極體晶片30還可以採用覆晶封裝的方式設置在基座10上。
    該螢光粉層50設置於基座10上，並封閉容置槽15的頂部開口，以遮擋該第一發光二極體晶片20及第二發光二極體晶片30的出光光路。該螢光粉層50由摻雜有螢光粉的封膠樹脂製成，該螢光粉可選自釔鋁石榴石、鋱釔鋁石榴石及矽酸鹽中的一種或幾種的組合。該螢光粉層50內均勻分佈複數螢光粉顆粒52，各螢光粉顆粒52的外表面包覆有一鹵化銀54，該鹵化銀54內摻雜有少量的氧化銅。本實施例中，該第二發光二極體晶片30為藍光二極體晶片，螢光粉為黃色的螢光粉。
    使用時，當第二發光二極體晶片30導通而第一發光二極體晶片20非導通時，該第二發光二極體晶片30發出藍光，該藍光的一部分被螢光粉吸收而激發成黃光，該黃光繼而與剩餘的藍光混合形成一定色溫的白光。請同時參閱圖2，當第一發光二極體晶片20亦導通後，該第二發光二極體晶片30發射紫外光，該紫外光使得螢光粉顆粒52上的鹵化銀54形成氧化還原作用，其中銀原子56會從鹵化銀54的化合物中分離出來，從而擋設於螢光粉顆粒52的外側，進而減小各螢光粉顆粒52被第二發光二極體晶片30的激發面積，由此，減少第二發光二極體晶片30被螢光粉吸收的藍光，使更多剩餘的藍光與黃光混合，從而提高該發光二極體光源裝置100的整體色溫。當第一發光二極體晶片20再關閉後，該銀原子56在氧化銅的催化作用下與鹵原子重新結合成鹵化銀54，恢復螢光粉顆粒52的激發面積，進而使發光二極體光源裝置100恢復至原來的色溫。由此，通過該第一發光二極體晶片20的關閉即可達成發光二極體光源裝置100實現兩種色溫的目的。
    另外，該發光二極體光源裝置100還可通過控制該第一發光二極體晶片20的電流來控制第一發光二極體晶片20的發光強度，從而控制螢光粉顆粒52外側的鹵化銀54的氧化還原的程度，來控制螢光粉顆粒52外側的銀原子56的數量，進而控制各螢光粉顆粒52的被第二發光二極體晶片30的激發面積的大小，來調節該發光二極體光源裝置100的整體色溫，以適應不同環境的需求。具體原理為：當第一發光二極體晶片20電流越低，鹵化銀54分離出的銀原子56越少，螢光粉顆粒52被激發的面積越大，第二發光二極體晶片30被螢光粉吸收的光越多，從而該發光二極體光源裝置100的整體色溫降低；相反，當第一發光二極體晶片20電流越高，鹵化銀54分離出的銀原子56越多，螢光粉顆粒52被激發的面積越小，第二發光二極體晶片30被螢光粉吸收的光越少，從而該發光二極體光源裝置100的整體色溫提高。由此，達成發光二極體光源裝置100實現各種不同色溫的目的。
    具體實施時，該第二發光二極體晶片30的發光情況及螢光粉的顏色不受本實施例的限制，其亦可為其他能相互配合且不對鹵化銀54的氧化還原造成影響的發光二極體晶片與螢光粉。該發光二極體光源裝置100的第一發光二極體晶片20及第二發光二極體晶片30上還可包覆有一封裝層，該封裝層為一透明封膠樹脂，用於保護第一及第二發光二極體晶片20、30免受灰塵、水氣等影響。另外，該螢光粉層50亦可直接填充封設於基座10的整個容置槽15內。
    可以理解的是，對於本領域的普通技術人員來說，可以根據本發明的技術構思做出其他各種像應的改變與變形，而所有該等改變與變形都應屬於本發明權利要求的保護範圍。
    綜上所述，本發明符合發明專利要件，爰依法提出專利申請。惟，以上所述者僅為本發明之較佳實施例，舉凡熟悉本案技藝之人士，在爰依本發明精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下之申請專利範圍內。
    100．．．發光二極體光源裝置
    10．．．基座
    20．．．第一發光二極體晶片
    30．．．第二發光二極體晶片
    50．．．螢光粉層
    11．．．頂面
    13．．．底面
    15．．．容置槽
    12．．．第一電極
    14．．．第二電極
    16．．．第三電極
    52．．．螢光粉顆粒
    54．．．鹵化銀
    56．．．銀原子
    60．．．導線
    150．．．傾斜面
    圖1為本發明第一實施方式的發光二極體光源裝置的剖面結構示意圖。
    圖2為圖1所示的發光二極體光源裝置中的一個包覆有鹵化銀的螢光粉顆粒被第一發光二極體晶片照射後的示意圖。
    100．．．發光二極體光源裝置
    10．．．基座
    20．．．第一發光二極體晶片
    30．．．第二發光二極體晶片
    50．．．螢光粉層
    11．．．頂面
    13．．．底面
    15．．．容置槽
    12．．．第一電極
    14．．．第二電極
    16．．．第三電極
    52．．．螢光粉顆粒
    54．．．鹵化銀
    60．．．導線
    150．．．傾斜面
    权利要求:
    Claims (10)
    [1] 一種發光二極體光源裝置，其包括基座、設於基座上的第一發光二極體晶片管與第二發光二極體晶片、及一螢光粉層，該螢光粉層設置在遮擋所述第一發光二極體晶片及第二發光二極體晶片的出光方向上，其改良在於：該第一發光二極體晶片為紫外光發光二極體晶片，該螢光粉層內分佈有複數螢光粉顆粒，各螢光粉顆粒的外周面包覆一層鹵化銀，當第二發光二極體晶片導通而第一發光二極體晶片非導通時，第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生一種色溫；當第一發光二極體晶片與第一發光二極體晶片同時發光時，各螢光粉顆粒外周面的鹵化銀被第一發光二極體照射分解出銀原子而擋設於螢光粉顆粒周圍，該第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生另一種色溫。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體光源裝置，其中當第一發光二極體晶片與第一發光二極體晶片同時發光時，改變第一發光二極體晶片的發光強度來控制鹵化銀分解出的銀原子的數量，從而調節該第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生的色溫。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體光源裝置，其中所述鹵化銀中設有氧化銅，當第一發光二極體晶片由導通至關閉時，所述螢光粉顆粒周圍的銀原子與鹵素原子在氧化銅的催化作用下重新結合成鹵化銀，所述發光二極體光源裝置返回至只有第二發光二極體導通時的色溫狀態。
    [4] 如申請專利範圍第2項所述的發光二極體光源裝置，其中所述鹵化銀中設有氧化銅，當第一發光二極體晶片的發光強度降低時，鹵化銀分解出的銀原子的數量減少，螢光粉顆粒被第二發光二極體晶片激發的面積增大，所述第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生的色溫降低；當第一發光二極體晶片的發光強度升高時，鹵化銀分解出的銀原子的數量增加，螢光粉顆粒被第二發光二極體晶片激發的面積減小，所述第二發光二極體晶片激發螢光粉層發光而產生的色溫提高。
    [5] 如申請專利範圍第1項至第4項中任何一項所述的發光二極體光源裝置，其中該螢光粉層由摻雜有螢光粉的封膠樹脂製成。
    [6] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體光源裝置，其中所述螢光粉顆粒均勻分佈於螢光粉層中。
    [7] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體光源裝置，其中所述基座上設有一容置槽，該容置槽的內表面為傾斜面，該傾斜面自基座頂面向基座底面方向延伸並向第一發光二極體晶片及第二發光二極體晶片的方向傾斜，容置槽的內表面還塗敷有反光材料。
    [8] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體光源裝置，其中所述第一發光二極體晶片與第二發光二極體晶片可各自控制其開關及電流的大小。
    [9] 如申請專利範圍第8項所述的發光二極體光源裝置，其中所述基座底面上設置有相互間隔的第一電極、第二電極及第三電極，所述第一發光二極體晶片與第一電極及第三電極連接，所述第二發光二極體晶片與第二電極及第三電極連接。
    [10] 如申請專利範圍第1項所述的發光二極體光源裝置，其中所述第二發光二極體晶片為藍光二極體晶片，所述螢光粉層為黃色的螢光粉。
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